¿Quién inventó el crecimiento epitaxial por haces moleculares (MBE)?

La técnica básica de MBE fue desarrollada alrededor de 1968 en Bell Laboratories por dos físicos estadounidenses, los chinos Alfred Y. Cho y John R. Arthur, Jr. También hicieron importantes contribuciones otros científicos, como el físico nacido en Japón Leo Esaki (que ganó el Premio Nobel de Física en 1973 por su trabajo en electrónica de semiconductores) y Ray Tsu, que trabaja en IBM. Desde entonces, muchos otros investigadores han desarrollado y refinado el proceso. Alfred Cho recibió el primer Premio Internacional de Nanotecnología, RUSNANOPRIZE-2009, por su trabajo en el desarrollo de MBE.

Un dibujo tomado de la patente original de John R. Arthur, Jr. del crecimiento epitaxial por haces moleculares, presentada en 1968 y concedida en 1971. Gráfica cortesía de la Oficina de Patentes y Marcas de los Estados Unidos. Puede encontrar más detalles en la Patente de EE.UU. #3,615,931: Técnica para el crecimiento de películas semiconductoras compuestas epitaxiales (a través de las patentes de Google).

 

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